一、研發(fā)中心主任與團隊介紹
研發(fā)中心主任鄭君雄博士,，畢業(yè)于廈門大學電子科學與技術(shù)學院,、美國阿波羅學院和林肯大學,，在光電芯片,、光通信、光傳輸領(lǐng)域擁有20多年的技術(shù)經(jīng)驗,。曾在全球光通信行業(yè)龍頭企業(yè)華為技術(shù)有限公司任職長達10余年,，是光網(wǎng)絡產(chǎn)品線和無線產(chǎn)品線的資深技術(shù)專家，以第一發(fā)明人獲得的發(fā)明專利及實用新型專利總計超過100項,，其中光芯片領(lǐng)域超過40項,，10項發(fā)明專利已經(jīng)獲得授權(quán)。
研發(fā)中心核心團隊在激光物理和半導體光電器件等研究領(lǐng)域，特別是納米光電材料及器件,、納米半導體激光芯片方面,，做出了系列發(fā)現(xiàn)、發(fā)明及開拓性貢獻,，是國際公認的納米半導體激光領(lǐng)域開拓團隊之一,。
二、總體定位與發(fā)展方向
光電芯片單片集成技術(shù)研發(fā)中心致力于解決當前中國在芯片領(lǐng)域的“卡脖子”問題,。中心以突破光電芯片的單片集成技術(shù)為目標,，致力于研發(fā)第一代光電芯片、第二代光電芯片和第三代光電芯片,，為“光通信”,、“光傳感”、“光存儲”,、“光運算”等相關(guān)領(lǐng)域提供硬件支持和技術(shù)服務，從而實現(xiàn)“光取代電”,，進入“光子時代”,，中心將通過技術(shù)創(chuàng)新和技術(shù)突破引領(lǐng)光電集成芯片的未來發(fā)展方向。
三,、科研成果與產(chǎn)品展示
目前世界上的光電芯片根據(jù)集成技術(shù)大致分為三類：第一代光電芯片（分立器件技術(shù)）,、第二代光電芯片（混合集成技術(shù)）、第三代光電芯片（單片集成技術(shù)）,。本研發(fā)中心團隊在各類光電芯片領(lǐng)域都擁有填補國內(nèi)空白的核心技術(shù),。
1、已開發(fā)完成第一代光電芯片產(chǎn)品系列,，包括光通信芯片和光傳感芯片,。
光通信芯片VCSEL單通道傳輸速率達到50Gbps和100Gbps（直調(diào)），該產(chǎn)品已經(jīng)填補國內(nèi)的空白,，達到全球領(lǐng)先水平,。高端光通信芯片的眼圖 margin 指標和 TDECQ 指標也已經(jīng)領(lǐng)先國內(nèi)同行，超過國際行業(yè)標準,。
光傳感芯片VCSEL（多結(jié)）的光電轉(zhuǎn)換效率達到55%以上,，功率密度超過1500W/mm2，以上性能參數(shù)在行業(yè)內(nèi)皆處于領(lǐng)先水平,，產(chǎn)品可以應用于新能源汽車,、無人駕駛、激光雷達,、工業(yè)機器人等,。目前已經(jīng)量產(chǎn)的光芯片產(chǎn)品性能指標得到了國內(nèi)權(quán)威機構(gòu)的測試認證（聯(lián)合微電子測試中心、中科院半導體所、以及相關(guān)上市公司的測試認證）,。
2,、已在基于光電芯片的單片集成技術(shù)（第三代光電芯片）上獲得了重大的技術(shù)突破。通過巧妙地設計過渡層,，解決了晶格不匹配的問題,，從而直接在硅材料上外延生長III-V材料，把原生III-V族材料光子器件的工藝與技術(shù)應用于硅光子的光源中,，得到性能優(yōu)異的片上光源,。目前已申請40多個自主知識產(chǎn)權(quán)專利，已授權(quán)發(fā)明專利10個,。
光電芯片單片集成技術(shù)是一項高速率,、低能耗、高可靠性,、綠色節(jié)能低碳,、經(jīng)濟技術(shù)效益顯著的半導體領(lǐng)域核心技術(shù)，將在高端光芯片國產(chǎn)化領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用,，并能解決國家在芯片領(lǐng)域的“卡脖子”問題,，為國家的發(fā)展提供自主知識產(chǎn)權(quán)的科技保障。
四,、聯(lián)系我們
聯(lián)系人：鄭先生,，0755-89660635，[email protected]
